晶体管 13001 (MJE13001) 是一种采用平面外延技术制造的硅三极管。它具有 N-P-N 结构。指中等功率器件。它们主要在位于东南亚的工厂生产，并用于同一地区制造的电子设备。
主要技术特点
13001晶体管的主要特点是：
- 高工作电压（基极 - 集电极 - 700 伏，集电极 - 发射极 - 400 伏，根据某些消息来源 - 高达 480 伏）；
- 短开关时间（电流上升时间 - tr=0.7微秒，电流衰减时间tF\u003d 0.6 μs，这两个参数都是在 0.1 mA 的集电极电流下测量的）；
- 工作温度高（高达 +150 °C）；
- 高功耗（高达 1 W）；
- 低集电极 - 发射极饱和电压。
最后一个参数以两种模式声明：
| 集电极电流，毫安 | 基极电流，毫安 | 集电极-发射极饱和电压，V |
|---|---|---|
| 50 | 10 | 0,5 |
| 120 | 40 | 1 |
此外，作为一个优势，制造商声称在 晶体管 有害物质（符合 RoHS 标准）。
重要的！ 13001系列晶体管各厂家的datasheet中，半导体器件的特性各不相同，因此可能存在一定的不一致（通常在20%以内）。
其他对操作重要的参数：
- 最大连续基极电流 - 100 mA；
- 最高脉冲基极电流 - 200 mA；
- 最大允许集电极电流 - 180 mA；
- 限制脉冲集电极电流 - 360 mA；
- 最高基极-发射极电压为 9 伏；
- 开启延迟时间（存储时间） - 从 0.9 到 1.8 μs（集电极电流为 0.1 mA）；
- 基极-发射极饱和电压（基极电流为 100 mA，集电极电流为 200 mA） - 不超过 1.2 伏；
- 最高工作频率为 5 MHz。
不同模式的静态电流传递系数在以下范围内声明：
| 集电极-发射极电压，V | 集电极电流，毫安 | 获得 | |
|---|---|---|---|
| 至少 | 最大的 | ||
| 5 | 1 | 7 | |
| 5 | 250 | 5 | |
| 20 | 20 | 10 | 40 |
所有特性均在 +25 °C 的环境温度下声明。该晶体管可在 -60 至 +150 °C 的环境温度下储存。
外壳和底座
晶体管 13001 采用带柔性引线的输出塑料封装，用于使用真孔技术进行安装：
- TO-92；
- TO-126。
此外，还有用于表面贴装 (SMD) 的案例：
- SOT-89;
- SOT-23。
SMD封装的晶体管标有字母H01A、H01C。
重要的！ 不同制造商的晶体管可能带有前缀 MJE31001、TS31001 或无前缀。由于外壳空间不足，前缀通常没有标明，并且此类设备可能具有不同的引脚排列。如果存在来源不明的晶体管，最好使用 万用表 或晶体管测试仪。
国内外同类产品
直接模拟 晶体管 13001 命名中没有国产硅三极管，但在中等工作条件下，可以使用表中N-P-N结构的硅半导体器件。
| 晶体管型 | 最大功耗，瓦 | 集电极-基极电压，伏特 | 基极-发射极电压，伏特 | 截止频率，MHz | 最大集电极电流，mA | H FE |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KT538A | 0,8 | 600 | 400 | 4 | 500 | 5 |
| KT506A | 0,7 | 800 | 800 | 17 | 2000 | 30 |
| KT506B | 0,8 | 600 | 600 | 17 | 2000 | 30 |
| KT8270A | 0,7 | 600 | 400 | 4 | 500 | 10 |
在接近最大值的模式下，有必要仔细选择类似物，以便参数允许晶体管在特定电路中运行。还需要澄清设备的引脚排列 - 它可能与 13001 的引脚排列不一致，这可能会导致在板上安装时出现问题（特别是对于 SMD 版本）。
国外同类产品中，同样的高压，但功率更大的硅N-P-N晶体管适合替换：
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009。
它们与 13001 的区别主要在于集电极电流增加和半导体器件可以消耗的功率增加，但封装和引脚排列也可能存在差异。
在每种情况下，都需要检查引脚排列。在很多情况下，LB120、SI622等晶体管可能是合适的，但必须仔细比较具体特性。
因此，在 LB120 中，集电极-发射极电压相同为 400 伏，但基极和发射极之间不能施加超过 6 伏的电压。它还具有稍低的最大功耗 - 0.8 W 与 13001 的 1 W 相比。在决定是否用另一个半导体器件替换一个半导体器件时必须考虑到这一点。同样适用于N-P-N结构的更强大的国产高压硅晶体管：
| 国产晶体管种类 | 最高集电极-发射极电压，V | 最大集电极电流，mA | H21e | 框架 |
|---|---|---|---|---|
| KT8121A | 400 | 4000 | <60 | CT28 |
| KT8126A | 400 | 8000 | >8 | CT28 |
| KT8137A | 400 | 1500 | 8..40 | CT27 |
| KT8170A | 400 | 1500 | 8..40 | CT27 |
| KT8170A | 400 | 1500 | 8..40 | CT27 |
| KT8259A | 400 | 4000 | 最多 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8259A | 400 | 8000 | 最多 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8260A | 400 | 12000 | 最多 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8270 | 400 | 5000 | <90 | CT27 |
它们在功能上取代了 13001 系列，功率更大（有时工作电压更高），但引脚排列和封装尺寸可能会有所不同。
晶体管13001的范围
13001 系列晶体管专为在低功率转换器中用作关键（开关）元件而设计。
- 移动设备的网络适配器；
- 用于小功率荧光灯的电子镇流器；
- 电子变压器；
- 其他脉冲装置。
使用13001晶体管作为晶体管开关没有基本的限制。在不需要特殊放大的情况下（13001 系列的电流传输系数按现代标准来说很小），也可以在低频放大器中使用这些半导体器件，但在这些情况下，这些晶体管的参数相当高工作电压和它们的高速方面没有实现。
在这些情况下，最好使用更常见和更便宜的晶体管类型。此外，在构建放大器时，必须记住 31001 晶体管没有互补对，因此推挽级联的组织可能存在问题。
该图显示了在便携式设备电池的电源充电器中使用晶体管 13001 的典型示例。包括一个硅三极管作为在变压器 TP1 的初级绕组上产生脉冲的关键元件。它以较大的裕量承受完全整流的电源电压，并且不需要额外的电路措施。
焊接晶体管时，必须注意避免过热。理想的温度曲线如图所示，包括三个步骤：
- 预热阶段持续约 2 分钟，在此期间晶体管从 25 度升温至 125 度；
- 实际焊接持续约5秒，最高温度255度；
- 最后阶段以每秒 2 到 10 度的速度冷却。
这个时间表在家里或车间都很难遵循，在拆卸和组装单个晶体管时也不那么重要。最主要的是不要超过最高允许焊接温度。
13001 晶体管以相当可靠而著称，并且在特定限制内的操作条件下，可以持续很长时间而不会出现故障。
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